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详细情报
印普里亚公司
A
~42.4km
城市
俄勒冈州 科瓦利斯 97330
Inpria是金属氧化物光致抗蚀剂设计,开发和制造的全球领导者。 通过设计,Inpria光刻胶可以以极小的间距和特征尺寸进行图案化。 我们的材料从原子到原子都经过精心设计,以实现最佳的EUV吸收和光子捕获性能。 通过吸收来自EUV扫描仪的更多光,Inpria光刻胶可降低光子散粒噪声,而传统的化学增强型光刻胶中会放大这种噪声。 此外,通过去除常规光致抗蚀剂的酸扩散机理特征,图案分辨率进一步提高。 所有这些特征均来自于我们的抗蚀剂以及我们的小型,高度均一的构建基块的独特分子簇组成。 具有氧化锡核的有机金属簇是我们化学的基础,而不是纳米颗粒。 这些有机金属构件仅是传统基于聚合物的抗蚀剂中发现的聚合物尺寸的一小部分,因此具有出色的分辨率。 Inpria光刻胶的成分少于有机光刻胶,从而提高了材料均匀性和器件良率。 作为具有无与伦比的蚀刻选择性的金属氧化物,Inpria光刻胶可实现更简单的制造流程和新颖的芯片架构。
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1831
详细情报
威拉米特大学
B
~2.5km
城市
俄勒冈州 塞勒姆 97301
◆ SAT 平均 : 1875 ◆ Old SAT 平均 : 1250 ◆ 高中 上位 10% : 47% ◆ 合格率 : 76% ◆ SAT 排名 : 111 ◆ 高中 10% 排名 : 120 ◆ 合格率 排名 : 187 ◆ SAT+高中排位+合格率 排名 : 138 ◆ 高中排位+合格率 排名 : 155 ◆ SAT+合格率 排名 : 148 ◆ SAT+高中排位 排名 : 113 (合格率越低入学越难,在合格者中高中排名前10%的学生比率越高入学越难。)
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印普里亚公司
A
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俄勒冈州 科瓦利斯 97330
Inpria是金属氧化物光致抗蚀剂设计,开发和制造的全球领导者。 通过设计,Inpria光刻胶可以以极小的间距和特征尺寸进行图案化。 我们的材料从原子到原子都经过精心设计,以实现最佳的EUV吸收和光子捕获性能。 通过吸收来自EUV扫描仪的更多光,Inpria光刻胶可降低光子散粒噪声,而传统的化学增强型光刻胶中会放大这种噪声。 此外,通过去除常规光致抗蚀剂的酸扩散机理特征,图案分辨率进一步提高。 所有这些特征均来自于我们的抗蚀剂以及我们的小型,高度均一的构建基块的独特分子簇组成。 具有氧化锡核的有机金属簇是我们化学的基础,而不是纳米颗粒。 这些有机金属构件仅是传统基于聚合物的抗蚀剂中发现的聚合物尺寸的一小部分,因此具有出色的分辨率。 Inpria光刻胶的成分少于有机光刻胶,从而提高了材料均匀性和器件良率。 作为具有无与伦比的蚀刻选择性的金属氧化物,Inpria光刻胶可实现更简单的制造流程和新颖的芯片架构。
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◆ SAT 平均 : 1875 ◆ Old SAT 平均 : 1250 ◆ 高中 上位 10% : 47% ◆ 合格率 : 76% ◆ SAT 排名 : 111 ◆ 高中 10% 排名 : 120 ◆ 合格率 排名 : 187 ◆ SAT+高中排位+合格率 排名 : 138 ◆ 高中排位+合格率 排名 : 155 ◆ SAT+合格率 排名 : 148 ◆ SAT+高中排位 排名 : 113 (合格率越低入学越难,在合格者中高中排名前10%的学生比率越高入学越难。)
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Inpria是金属氧化物光致抗蚀剂设计,开发和制造的全球领导者。 通过设计,Inpria光刻胶可以以极小的间距和特征尺寸进行图案化。 我们的材料从原子到原子都经过精心设计,以实现最佳的EUV吸收和光子捕获性能。 通过吸收来自EUV扫描仪的更多光,Inpria光刻胶可降低光子散粒噪声,而传统的化学增强型光刻胶中会放大这种噪声。 此外,通过去除常规光致抗蚀剂的酸扩散机理特征,图案分辨率进一步提高。 所有这些特征均来自于我们的抗蚀剂以及我们的小型,高度均一的构建基块的独特分子簇组成。 具有氧化锡核的有机金属簇是我们化学的基础,而不是纳米颗粒。 这些有机金属构件仅是传统基于聚合物的抗蚀剂中发现的聚合物尺寸的一小部分,因此具有出色的分辨率。 Inpria光刻胶的成分少于有机光刻胶,从而提高了材料均匀性和器件良率。 作为具有无与伦比的蚀刻选择性的金属氧化物,Inpria光刻胶可实现更简单的制造流程和新颖的芯片架构。
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◆ SAT 平均 : 1875 ◆ Old SAT 平均 : 1250 ◆ 高中 上位 10% : 47% ◆ 合格率 : 76% ◆ SAT 排名 : 111 ◆ 高中 10% 排名 : 120 ◆ 合格率 排名 : 187 ◆ SAT+高中排位+合格率 排名 : 138 ◆ 高中排位+合格率 排名 : 155 ◆ SAT+合格率 排名 : 148 ◆ SAT+高中排位 排名 : 113 (合格率越低入学越难,在合格者中高中排名前10%的学生比率越高入学越难。)
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